阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201611076206.8
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00
申请日期：
2016-11-29
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置
申请号	CN201611076206.8	申请日期	2016-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-05	公开/公告号	CN108123032A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	陈卓凡;张翼英
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	高伟;张建

摘要

本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成沟槽以及分别位于所述沟槽两侧的第一左电极和第一右电极；在所述沟槽的侧壁上形成阻变层；在所述沟槽形成第二电极，以形成所述阻变随机存储器存储单元。该阻变随机存储器存储单元可以实现多电平，具有改善的工作窗口和存储密度。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高器件存储密度和工作窗口。该电子装置具有类似的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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