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半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110190252.5
  • IPC分类号:H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28
  • 申请日期:
    2021-02-18
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其形成方法
申请号CN202110190252.5申请日期2021-02-18
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-20公开/公告号CN113284943A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/10
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人吕侑珊;周鸿儒;高珮玲;廖晨瑄;张志仲;郭俊铭;许哲源
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
半导体结构包括:SiGe鳍,从衬底突出,其中,SiGe鳍包括具有第一侧壁和第二侧壁的顶部以及具有第三侧壁和第四侧壁的底部,并且其中,将第一侧壁连接至第三侧壁的第一过渡区域和将第二侧壁连接至第四侧壁的第二过渡区域的每个具有分别远离第一侧壁和第二侧壁延伸的锥形轮廓;以及含Si层,设置在SiGe鳍的顶部上,其中,含Si层的位于第一过渡区域上的部分远离第一侧壁延伸第一横向距离,并且含Si层的位于第二过渡区域上的部分远离第二侧壁延伸与第一横向距离不同的第二横向距离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

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