1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710768034.9
IPC分类号：H01L27/11568;H01L29/10;H01L29/423
申请日期：
2017-08-31
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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专利名称	1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器及其制造方法
申请号	CN201710768034.9	申请日期	2017-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-29	公开/公告号	CN107527917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11568 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕 H01L27/11568 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11578）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	许昭昭;钱文生;胡君
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华

摘要

本发明公开了一种1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器，存储管和选择管共用同一N型掺杂的沟道区；存储管和选择管的多晶硅栅之间通过侧墙隔离；沟道由被存储管的第一多晶硅栅覆盖第一部分沟道和被选择管的第二多晶硅栅覆盖的第二部分沟道串联形成；第一多晶硅栅为N+掺杂，使形成第一部分沟道的阈值电压低于0V；第二多晶硅栅为P+掺杂，利用P+掺杂的功函数更大的特征，使形成第二部分沟道的阈值电压提高到大于0V，从形成存储管为耗尽型以及选择晶体管为增强型的结构，通过共用的沟道注入来提高沟道的均匀性和一致性。本发明还公开了一种1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器的制造方法。本发明能简化工艺并提高器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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