一种TDDLTE塔顶放大器的高性能发射通道

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220737632.2
IPC分类号：H04B1/04;H04B7/15
申请日期：
2012-12-28
申请人：
成都泰格微波技术股份有限公司

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专利名称	一种TDDLTE塔顶放大器的高性能发射通道
申请号	CN201220737632.2	申请日期	2012-12-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04B1/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04B 传输〔4〕 H04B1/00 不包含在H04B 3/00至H04B 13/00单个组中的传输系统的部件；不以所使用的传输媒介为特征区分的传输系统的部件〔4〕 H04B1/02 发射机 H04B1/04 电路	IPC分类号	H;0;4;B;1;/;0;4;;;H;0;4;B;7;/;1;5查看分类表>
申请人	成都泰格微波技术股份有限公司	申请人地址	四川省成都市高新西区新文路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都泰格微波技术股份有限公司	当前权利人	成都泰格微波技术股份有限公司
发明人	周为
代理机构	成都金英专利代理事务所（普通合伙）	代理人	袁英

摘要

本实用新型公开了一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道，它包括两个λ/4微带线、ANT滤波器和高速开关组件，所述的高速开关组件包括至少三个高速开关SPST1～SPST3，基站BTS的输出与两个串联的λ/4微带线的输入端连接，串联λ/4微带线的输出与ANT滤波器相连，ANT滤波器与天线ANT连接，λ/4微带线的中点、基站的后端和ANT滤波器的前端分别通过高速开关SPST3、SPST1和SPST2对地连接。本实用新型的发射通道能够承受大功率、低损耗，接收通道具有高隔离开关组件，从而保护接收通道的低噪声放大器不被发射通道的大功率烧毁。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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