加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200480037017.9
  • IPC分类号:H01L21/20;C30B25/02
  • 申请日期:
    2004-12-13
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN200480037017.9申请日期2004-12-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-01-10公开/公告号CN1894774
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人B·博亚诺夫;A·梅希;B·多勒;R·肖
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人李玲
摘要
本发明各实施例涉及一种CMOS器件,该器件具有(1)选择性沉积在缓变硅锗基片的第一区域上的硅材料的NMOS材料,使得选择性沉积硅材料承受由于该硅材料的晶格间距比第一区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距小而产生的拉伸应变,以及(2)选择性沉积在基片的第二区域上的硅锗材料的PMOS沟道,使得选择性沉积硅锗材料承受由于该选择性沉积硅锗材料的晶格间距比第二区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距大而产生的压缩应变。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供