一种基于CVD钻石的量子中继设备及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010252430.8
IPC分类号：G01J1/42;F16M11/04;G06K17/00
申请日期：
2020-04-01
申请人：
湖州中芯半导体科技有限公司

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专利名称	一种基于CVD钻石的量子中继设备及其制备方法
申请号	CN202010252430.8	申请日期	2020-04-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-17	公开/公告号	CN111426378A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/42 采用电辐射检测器（光学或机械部件入G01J 1/04；与基准光或基准电参数作比较的入G01J 1/10）	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;4;2;;;F;1;6;M;1;1;/;0;4;;;G;0;6;K;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	湖州中芯半导体科技有限公司	申请人地址	浙江省湖州市吴兴区高新区中横港路33号2号厂房5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖州中芯半导体科技有限公司	当前权利人	湖州中芯半导体科技有限公司
发明人	赵芬霞;刘宏明
代理机构	北京盛凡智荣知识产权代理有限公司	代理人	邓凌云

摘要

本发明涉及量子计算技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的量子中继设备及其制备方法，包括底座，所述底座的上端固定连接有支撑杆，所述支撑杆的另一端安装有安装座，所述安装座的上端安装有光电探测器，所述底座的上端开设有活动槽，所述活动槽内滑动连接有活动块，所述活动块内设有螺纹孔，所述活动槽相向的槽壁上通过轴承转动连接有螺纹杆，所述活动块螺纹连接在螺纹杆上，所述螺纹杆远离支撑杆的一端穿过轴承并向外延伸，所述活动块的上端穿过活动槽槽口并向外延伸，且固定连接有连接板。该基于CVD钻石的量子中继设备及其制备方法，可以快速精确的调节单色激光器与CVD钻石的间距，易于单色激光器安装固定到最佳的位置处。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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