一种Ti@C@g-C3N4纳米复合物及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610393070.7
IPC分类号：C23C14/22;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00
申请日期：
2016-05-31
申请人：
安徽工业大学

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法律信息

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专利名称	一种Ti@C@g-C3N4纳米复合物及其制备方法
申请号	CN201610393070.7	申请日期	2016-05-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-27	公开/公告号	CN105803399A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;2;0;/;0;0查看分类表>
申请人	安徽工业大学	申请人地址	安徽省马鞍山市湖东中路59号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽工业大学	当前权利人	安徽工业大学
发明人	刘先国;李振兴;潘正武;孙玉萍
代理机构	南京知识律师事务所	代理人	蒋海军

摘要

本发明公开了一种Ti@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Ti@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中，纳米胶囊的粒径为5～100nm。本发明采用等离子电弧放电法，将钛粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用石墨作为阴极材料，引用氩气和甲烷作为工作气体，阴极石墨电极与阳极靶材钛‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，即得Ti@C@g‑C3N4纳米复合物。该纳米复合物可见光催化活性高且制备过程简单、无后处理工序、成本低、易于实现工业化生产。

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