非晶碳膜的形成方法及半导体结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202110314271.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/033
申请日期：
2021-03-24
申请人：
长鑫存储技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非晶碳膜的形成方法及半导体结构
申请号	CN202110314271.4	申请日期	2021-03-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-06	公开/公告号	CN113078043A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	蒋昱
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;陈丽丽

摘要

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种非晶碳膜的形成方法及半导体结构。所述非晶碳膜的形成方法包括如下步骤：提供衬底；传输包括掺杂源和碳源的前驱体至所述衬底表面，形成具有掺杂离子的非晶碳膜，所述掺杂离子的辐射能大于所述非晶碳膜中碳氢键的键能。本申请降低了非晶碳膜中氢元素的含量，相应提高了非晶碳膜中的碳氢比，从而达到提高非晶碳膜硬度和刻蚀选择比的效果，为改善半导体结构的良率、降低光刻工艺中的光阻成本以及促进技术节点的进步都起到了积极地作用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供