空心金属卤化物无铅钙钛矿量子点及其柔性发光二极管的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710840915.7
IPC分类号：H01L51/56;H01L51/50;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2017-09-18
申请人：
南昌航空大学

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专利名称	空心金属卤化物无铅钙钛矿量子点及其柔性发光二极管的制备方法
申请号	CN201710840915.7	申请日期	2017-09-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-06	公开/公告号	CN107768550A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	南昌航空大学	申请人地址	江西省南昌市丰和南大道696号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南昌航空大学	当前权利人	南昌航空大学
发明人	李凤;纪丽珊;张虚谷;蒋杰;吴岚杰
代理机构	南昌洪达专利事务所	代理人	刘凌峰

摘要

本发明提供了一种空心金属卤化物无铅钙钛矿量子点及其柔性发光二极管的制备方法。本发明将包括一种空心金属卤化物无铅钙钛矿量子点及其柔性发光二极管的制备，包括制备油酸铯前驱体，包括制备CsSnBr3量子点，包括制备CsSnBr3量子点油墨，包括制备CsSnBr3量子点柔性发光二极管。本发明采用分步合成法、喷墨打印技术、蒸镀技术、旋涂技术实现空心金属卤化物无铅钙钛矿量子点及其柔性发光二极管的制备。

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