电极的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010248291.1
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2020-04-01
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	电极的制备方法
申请号	CN202010248291.1	申请日期	2020-04-01
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-11	公开/公告号	CN111517272A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	刘善善;朱黎敏
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	黎伟

摘要

本申请公开了一种电极的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成第一氧化层、非晶硅层、金属层和介电抗反射层；进行第一次刻蚀，去除目标区域的介电抗反射层和目标区域中预定深度的金属层，形成第一通孔；进行第二次刻蚀，减薄介电抗反射层和暴露的金属层，形成第二通孔；进行第三次刻蚀，去除目标区域的金属层，使非晶硅层暴露；在暴露的介电抗反射层和非晶硅层的表面形成第二氧化层。本申请通过第一次刻蚀去除目标区域的介电抗反射层，通过第二次刻蚀减薄介电抗反射层和暴露的金属层，通过第三次刻蚀去除目标区域的金属层，从而进行后续的氧化层沉积，解决了通过湿法刻蚀工艺形成电极所导致的良率较低的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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