含氮的二氧化钛光催化薄膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03140525.8
IPC分类号：--
申请日期：
2003-05-27
申请人：
清华大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	含氮的二氧化钛光催化薄膜及其制备方法
申请号	CN03140525.8	申请日期	2003-05-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-11-12	公开/公告号	CN1454710
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	庄大明;张弓;赵明;侯亚奇;方玲;杨波
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

含氮的二氧化钛光催化薄膜及其制备方法，涉及到半导体光催化技术领域，特别涉及到二氧化钛光催化薄膜技术领域。本发明的含氮的二氧化钛光催化薄膜，其特征在于，它含有氮元素，氮元素在所述薄膜中的质量百分比为0.1%～5%；该薄膜的制备方法，是采用磁控溅射方法，其特征在于，反应气体是高纯氧气和氮气的混合气体，其中氮气含量为5%～95%。该薄膜降低了半导体光催化剂的禁带宽度，使得薄膜具有对可见光的吸收能力，在可见光辐照下具有对有机污染物的催化降解能力，在紫外光辐照的条件下，相对于纯二氧化钛光催化薄膜其降解能力也有大幅度提高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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