具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN01803892.1
IPC分类号：--
申请日期：
2001-01-08
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管
申请号	CN01803892.1	申请日期	2001-01-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-02-05	公开/公告号	CN1395745
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	W·克赖恩;R·拉奇纳;W·莫尔齐
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	程天正;张志醒

摘要

一种硅-锗双极晶体管，在硅衬底(7)上形成第一n掺杂发射极区(1)和与其相接的第二p掺杂基极区(2)以及与其相接的第三n掺杂集电极区(3)。在发射极区(1)和基极区(2)之间形成第一空间电荷区(4)；在基极区和集电极区(3)之间形成第二空间电荷区；基极区和相邻的发射极区(1)的边缘区与锗形成合金；发射极区的锗浓度朝基极区方向上升；具有一包含第一空间电荷区的结区，在该结区内和附近朝所述基极区方向具有下降或恒定的锗浓度，使得第一空间电荷区位于一个具有负分级或恒定锗浓度分布的区域内；基极区内的锗浓度朝所述集电极区方向上升。由此可以降低SiGeBT的电流放大系数与工作点有关的变化。

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