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一种气体传感器及其制造工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110366861.8
  • IPC分类号:G01N27/00;B81C1/00
  • 申请日期:
    2011-11-18
  • 申请人:
    南京工业大学
著录项信息
专利名称一种气体传感器及其制造工艺
申请号CN201110366861.8申请日期2011-11-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-04-25公开/公告号CN102426176A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/00IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人南京工业大学申请人地址
江苏省南京市中山北路200号41号信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京工业大学当前权利人南京工业大学
发明人殷晨波;张子立;朱斌;陶春旻;董宁宁;杨柳
代理机构江苏圣典律师事务所代理人胡建华
摘要
本发明公开了一种气体传感器及其制造工艺,气体传感器包括硅基底、二氧化硅绝热截至层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有二氧化硅层,所述的二氧化硅层采用表面工艺加工成悬臂结构。二氧化硅层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组,电极组上表面设有二氧化锡层本发明工艺将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层,降低了制造复杂度,提高了成品率;将传感器二氧化硅层腐蚀,形成悬臂结构,减小热量的传输通道,使得传感器的功耗更低。

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