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一种锂二次电池氟化铋正极材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710192680.1
  • IPC分类号:H01M4/58;H01M4/04;C01B9/08
  • 申请日期:
    2007-12-21
  • 申请人:
    湘潭大学
著录项信息
专利名称一种锂二次电池氟化铋正极材料的制备方法
申请号CN200710192680.1申请日期2007-12-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-07-02公开/公告号CN101212050
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/58IPC分类号H;0;1;M;4;/;5;8;;;H;0;1;M;4;/;0;4;;;C;0;1;B;9;/;0;8查看分类表>
申请人湘潭大学申请人地址
湖南省湘潭市羊牯塘 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湘潭大学当前权利人湘潭大学
发明人王先友;王欣;伍文;曹俊琪;胡涛
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种锂二次电池氟化铋正极材料的制备方法:1)将铋盐在5-45%的醋酸溶液中在0-50℃下搅拌1-10小时使之溶解,得铋盐醋酸溶液;2)在铋盐醋酸溶液中加入表面活性剂,得铋盐混合溶液;3)将可溶性氟盐或HF溶解在1-30%乙醇水溶液中,得醇氟混合溶液;4)将醇氟混合溶液在0-45℃下滴入铋盐混合溶液中,得到BiF3沉淀;5)将BiF3沉淀过滤、洗涤,在45-100℃真空干燥8-48h得到BiF3产品。本发明具有如下的有益效果,一是用醋酸做Bi3+溶剂,直接加入F-,用液相共沉淀的方法制备BiF3,所得产品纯度高,可通过加入表面活性剂,以及控制沉淀反应时间和温度来控制产品的粒径,溶剂可重复利用;二是本发明方法制得了纯度高,颗粒结晶规则,分散性好,放电性能良好的产品,是一种新颖、简单、产率高的BiF3制备方法。

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