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高频三极管及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710577211.5
  • IPC分类号:H01L29/735;H01L29/08;H01L21/331
  • 申请日期:
    2017-07-14
  • 申请人:
    罗灿
著录项信息
专利名称高频三极管及其制作方法
申请号CN201710577211.5申请日期2017-07-14
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-09-15公开/公告号CN107170814A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/735
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人罗灿申请人地址
江西省上饶市余干县玉亭镇醉仙居粮管所醉仙居路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人罗灿当前权利人罗灿
发明人罗灿
代理机构深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹明兰
摘要
本发明提供了一种高频三极管及其制作方法。所述高频三极管包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延层、形成于所述P型衬底与所述N型外延层之间的N型埋层、贯穿所述N型外延层与所述N型埋层的沟槽、位于所述沟槽中的集电极引出结构、连接所述集电极引出结构的集电极、形成于所述N型外延层表面的基区、形成于所述基区表面的发射区、连接所述发射区的发射极、及连接所述基区的基极,所述集电极引出结构包括位于所述沟槽内壁的低磷扩散低阻层及位于所述沟槽中所述低磷扩散低阻层内侧的第一多晶硅,所述第一多晶硅为高浓P掺杂的低阻多晶硅。

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