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一种长寿命发光二极管的电极结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202021784694.X
  • IPC分类号:H01L33/62
  • 申请日期:
    2020-08-25
  • 申请人:
    深圳市禧高科技有限公司
著录项信息
专利名称一种长寿命发光二极管的电极结构
申请号CN202021784694.X申请日期2020-08-25
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/62IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人深圳市禧高科技有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安区石岩街道羊台山工业路6号二楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市禧高科技有限公司当前权利人深圳市禧高科技有限公司
发明人黄小珍;曾广禧
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种长寿命发光二极管的电极结构,涉及二极管的电极结构技术领域,包括二极管,所述二极管的底端两侧均固定连接有第一电极,所述第一电极的内部转动连接有第二电极,所述第二电极和第一电极之间通过第一弹簧固定连接,所述第二电极的内部转动转动连接有第三电极,所述第三电极和第二电极之间固定连接有第二弹簧。当第三电极受到向左的力时,此时使第三电极在第二弧形卡槽内向右转动,使第二弹簧发生形变,当第三电极受到的力消失时,此时在第二弹簧的作用下使第三电极能够快速复位,同时也能够缓冲第三电极受到的力,避免引脚被折断,延长了二极管的使用寿命。

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