通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构

发明专利无效专利

申请号：
CN99803400.2
IPC分类号：--
申请日期：
1999-02-26
申请人：
北卡罗莱纳州立大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
申请号	CN99803400.2	申请日期	1999-02-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-04-18	公开/公告号	CN1292149
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北卡罗莱纳州立大学	申请人地址	美国北卡罗莱纳州罗利变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北卡罗莱纳州立大学	当前权利人	北卡罗莱纳州立大学
发明人	R·F·戴维斯;O·－H·纳姆;T·泽勒瓦;M·D·布雷姆赛尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	梁永;张志醒

摘要

氮化镓半导体层是这样制作的：用带有第一开孔阵列的第一掩模(106)掩蔽下氮化镓层(104)，通过第一开孔阵列在下氮化镓层上进行生长而形成第一蔓生氮化镓半导体层(108a，b)。然后用带有第二开孔阵列的第二掩模(206)掩蔽第一蔓生层。第二开孔阵列在横向上是与第一开孔阵列错开的。通过第二开孔阵列从第一蔓生氮化镓层(108a，b)上进行生长并扩展到第二掩模(206)上，从而形成第二蔓生氮化镓半导体层(208a，b)。微电子器件(210)则形成在第二蔓生氮化镓半导体层(208a，b)中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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