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半导体器件制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810554936.7
  • IPC分类号:H01L21/335;H01L29/778
  • 申请日期:
    2018-06-01
  • 申请人:
    苏州汉骅半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件制造方法
申请号CN201810554936.7申请日期2018-06-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-04公开/公告号CN108493111A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/335IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人苏州汉骅半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州汉骅半导体有限公司当前权利人苏州汉骅半导体有限公司
发明人倪贤锋;范谦;何伟
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上依次形成缓冲层和势垒层,其中,所述缓冲层与所述势垒层之间形成有二维电子气;刻蚀所述势垒层的源极区域和漏极区域,以在所述缓冲层上形成沟槽;在所述沟槽上交替形成相互叠加的第一掺杂部和第二掺杂部,所述第一掺杂部与所述第二掺杂部组成掺杂层;在所述掺杂层上形成源极和漏极,在所述势垒层上形成栅极。本发明所提供的半导体器件制造方法,通过形成交替叠加的第一掺杂部和第二掺杂部增加掺杂层的掺杂浓度,从而降低接触电阻。

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