一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络

发明专利有效专利

申请号：
CN202110660312.5
IPC分类号：G11C13/00
申请日期：
2021-06-15
申请人：
上海威固信息技术股份有限公司

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专利名称	一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络
申请号	CN202110660312.5	申请日期	2021-06-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113409844A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海威固信息技术股份有限公司	申请人地址	上海市青浦区高泾路599号1幢2层208室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海威固信息技术股份有限公司	当前权利人	上海威固信息技术股份有限公司
发明人	吴佳;李礼;吴叶楠
代理机构	上海海贝律师事务所	代理人	王文锋

摘要

本发明公开了一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络。包括并联的n个子电路，每个子电路包括RRAM，其两端分别与第一单元第二单元的PMOS晶体管相连，包括并联的两个限流电阻，分别与一组PMOS晶体管和一组NMOS晶体管相连。一个PMOS晶体管与使能EN、电源VDD相连，另一个PMOS晶体管与配置端口Kx相连。一个NMOS晶体管与地GND、信号BEN相连，另一个NMOS晶体管与配置端口K相连。本发明可以在断电时和再次上电后仍保持所配置的电阻，无须再次校准过程，能够大大加快高速串行电路等使用可配置上拉电阻网络的集成电路的启动速度。

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