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一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210390782.5
  • IPC分类号:H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-10-15
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法
申请号CN201210390782.5申请日期2012-10-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-01-16公开/公告号CN102881727A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人朱丽萍;陈文丰;李潘剑;郑志东
代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司代理人刘晓春
摘要
本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法,其中,高导电性的减反射膜为双层膜,底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜,顶层为SiO2薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法,包括如下步骤:1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜,2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀,3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理,4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO2薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备,具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点,可以降低太阳电池对太阳光的反射率,从而提高太阳电池的转换效率。

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