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扇出型封装中的半导体结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710366923.2
  • IPC分类号:H01L23/29;H01L23/31
  • 申请日期:
    2017-05-23
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称扇出型封装中的半导体结构
申请号CN201710366923.2申请日期2017-05-23
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2018-10-09公开/公告号CN108630622A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/29IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人廖文翔;陈焕能
代理机构南京正联知识产权代理有限公司代理人顾伯兴
摘要
一种扇出型封装中的半导体结构,具有相邻于半导体管芯的一侧的模制化合物。磁性结构设置于所述模制化合物上方、所述半导体管芯上方及传输线周围,所述传输线耦合至所述半导体管芯的集成电路。所述磁性结构具有顶部磁性部分、底部磁性部分、第一侧磁性部分及第二侧磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分耦合至所述顶部磁性部分及所述底部磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分具有锥形侧壁。

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