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带有层状构造的绝缘侧壁的功率半导体模块

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980157976.7
  • IPC分类号:H05K7/14;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/07;H05K7/20
  • 申请日期:
    2009-03-13
  • 申请人:
    西门子公司
著录项信息
专利名称带有层状构造的绝缘侧壁的功率半导体模块
申请号CN200980157976.7申请日期2009-03-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-02-08公开/公告号CN102349363A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H05K7/14IPC分类号H;0;5;K;7;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;5;K;7;/;2;0查看分类表>
申请人西门子公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西门子公司,弗朗霍弗应用研究促进协会当前权利人西门子公司,弗朗霍弗应用研究促进协会
发明人M.比尔曼;C.布罗什;D.马里帕德;A.曾克纳
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人任宇
摘要
为了开关一种具有高防爆性能且能特别便宜地制造的功率半导体模块(1),该功率半导体模块带有至少两个相互连接的功率半导体单元(19,20)、模块壳体(2,3,13)和至少一个连接母线(9,10,11,12,21),其中,所述功率半导体单元具有可控的功率半导体,所述功率半导体单元(19,20)设置在所述模块壳体内并且所述模块壳体具有绝缘的侧壁(13),所述连接母线穿过所述侧壁(13)并且与至少一个所述功率半导体单元(19,20)连接,本发明建议,所述绝缘的侧壁(13)设计为绝缘并且一体构造的子元件(14,15,16)的堆叠,其中,所述子元件(14,15,16)以接触区域相互贴靠。

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