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无源矩阵存储器的读出装置及与其一起使用的读出方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01817737.9
  • IPC分类号:G11C11/22;G11C7/06
  • 申请日期:
    2001-08-24
  • 申请人:
    薄膜电子有限公司
著录项信息
专利名称无源矩阵存储器的读出装置及与其一起使用的读出方法
申请号CN01817737.9申请日期2001-08-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-01-28公开/公告号CN1471711
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/22IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;2;2;;;G;1;1;C;7;/;0;6查看分类表>
申请人薄膜电子有限公司申请人地址
挪威奥斯陆 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人薄膜电子有限公司当前权利人薄膜电子有限公司
发明人M·汤普森;R·沃马克
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯;梁永
摘要
用于读出存储在无源矩阵存储器中的数据的读出装置(10),该无源矩阵存储器包括铁电电容形式的存储单元,读出装置(10)包括检测电流响应的积分电路(11)以及存储和比较两次连续读出值的部件(16,17,18)。在和读出装置一起使用的读出方法中,将位线连接到读出装置,用于检测在它与位于所述位线和触发的字线的交叉点上的存储单元之间流动的电荷。之后,在预定时段上对存储单元的两次连续读取信号进行积分,以生成第一和第二读出值。之后,对第一和第二读出值进行比较以根据检测的电荷确定逻辑值。

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