一种微机电系统封装结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110546475.0
IPC分类号：B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2021-05-19
申请人：
中山大学南昌研究院

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著录项信息

专利名称	一种微机电系统封装结构及其制备方法
申请号	CN202110546475.0	申请日期	2021-05-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-03	公开/公告号	CN113336182A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中山大学南昌研究院	申请人地址	江西省南昌市高新技术开发区艾溪湖北路269号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学南昌研究院	当前权利人	中山大学南昌研究院
发明人	涂良成;杨山清;陈婷;龚跃武;张晨艳;崔建玉
代理机构	武汉华之喻知识产权代理有限公司	代理人	王珣珏;曹葆青

摘要

本发明属于微机电系统封装技术领域，提供了一种微机电系统封装结构，其包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构，以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板；所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层，所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm；所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏，同时用于释放刻蚀过程中产生的热量。在本发明微机电系统封装结构制备过程中，由于先在硅基底背面沉积了一定厚度的金属层，用以固定MEMS器件的薄弱结构，使得本发明可通过刻蚀后先键合再划片的工序，实现MEMS器件结构的晶圆级封装，封装效率高，质量好，成本低。

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