一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010587700.0
IPC分类号：H01L21/48;H01L23/367;H01L23/473
申请日期：
2020-06-24
申请人：
浙江集迈科微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法
申请号	CN202010587700.0	申请日期	2020-06-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-11	公开/公告号	CN111653489A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;7;3查看分类表>
申请人	浙江集迈科微电子有限公司	申请人地址	浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江集迈科微电子有限公司	当前权利人	浙江集迈科微电子有限公司
发明人	冯光建
代理机构	杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	董世博

摘要

本发明公开了一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，具体包括如下步骤：101)转接板制作步骤、102)底板制作步骤、103)键合步骤、104)芯片安置步骤；本发明通过在芯片底部设置导热金属或者导热管道，使热量能够快速的导到散热底座中，然后通过在散热底座中设置多层微流道液相散热通道，散热通道中冷却液采用不同的流动方向运动，以此来平衡不同层别以及不同芯片一侧的微流道中液体的温度，使微流道在芯片底部的散热能力趋于一致的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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