半导体集成电路、存储装置和错误纠正方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910316896.7
IPC分类号：H03M13/29
申请日期：
2019-04-19
申请人：
拉碧斯半导体株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体集成电路、存储装置和错误纠正方法
申请号	CN201910316896.7	申请日期	2019-04-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-01	公开/公告号	CN110401457A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03M13/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03M 一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C 4/00；光学模/数转换器入G02F 7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）〔4〕 H03M13/00 用于检错或纠错的编码、译码或代码转换；编码理论基本假设；编码约束；误差概率估计方法；信道模型；代码的模拟或测试（用于模/数，数/模或代码转换的检错或纠错入H03M 1/00至H03M 11/00；专用于数字计算机的入G06F 11/08，用于基于记录载体和传感器之间相对运动的信息存储器入G11B，例如G11B 20/18，用于静态存储器的入G11C）〔4，7〕 H03M13/29 合并两个或多个代码或代码结构，例如乘积码、广义乘积码、链接码、内层码和外层码〔7〕	IPC分类号	H;0;3;M;1;3;/;2;9查看分类表>
申请人	拉碧斯半导体株式会社	申请人地址	日本神奈川县横滨市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	拉碧斯半导体株式会社	当前权利人	拉碧斯半导体株式会社
发明人	坂东和彦;宫崎聪司
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及半导体集成电路、存储装置和错误纠正方法。提供能够对超出错误纠正电路的纠正能力的位数的错误进行纠正的半导体集成电路。是一种半导体集成电路，进行来自对由数据部分和奇偶校验位构成的数据进行存储的存储器的数据的读出和数据的错误纠正，所述半导体集成电路包括存储器控制器，从存储器读出数据；以及错误纠正控制器，具有有规定位数的纠正能力的错误纠正电路，进行读出的数据的错误纠正。错误纠正控制器对读出的数据进行利用错误纠正电路的错误纠正，基于错误纠正后的数据的数据部分和奇偶校验位来判定是否纠正了数据所包括的错误的全部，在判定为未纠正错误的全部的情况下，使数据的各位的数据值依次反转来执行利用错误纠正电路的错误纠正。

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