多层陶瓷电容器及其形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510006239.0
IPC分类号：H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G13/00
申请日期：
2005-02-02
申请人：
达方电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	多层陶瓷电容器及其形成方法
申请号	CN200510006239.0	申请日期	2005-02-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-09	公开/公告号	CN1815644
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G4/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G4/00 固定电容器；及其制造方法（电解电容器入H01G 9/00）〔2〕 H01G4/30 叠层电容器（H01G 4/33优先）〔2，6〕	IPC分类号	H;0;1;G;4;/;3;0;;;H;0;1;G;4;/;1;2;;;H;0;1;G;4;/;0;0;8;;;H;0;1;G;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	达方电子股份有限公司	申请人地址	台湾省桃园县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	达方电子股份有限公司	当前权利人	达方电子股份有限公司
发明人	黄弘毅;蔡旻宪
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

一种多层陶瓷电容器的形成方法，包括步骤：提供电容陶瓷体，包含多层介电陶瓷层以及沿着介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极；形成外部电极于电容陶瓷体外，并电连接于部分的内部电极；覆盖导电层于外部电极；其中，内部电极与外部电极包含贱金属，导电层包含贵金属。覆盖一导电层于该外部电极的步骤之后还包括：以细陶瓷粉末混合该多层陶瓷电容器，并进行震荡抛光；以及将该导电层打磨抛光。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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