半导体器件及制造该半导体器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011216450.6
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/10
申请日期：
2020-11-04
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件及制造该半导体器件的方法
申请号	CN202011216450.6	申请日期	2020-11-04
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113223971A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李昌普;孙瓘后;吴俊锡
代理机构	北京市立方律师事务所	代理人	李娜;赵莎

摘要

公开了半导体器件及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供载体基板，所述载体基板包括导电层；将半导体裸片置于所述载体基板上；形成绝缘层以在所述载体基板上覆盖所述半导体裸片；形成通孔以在所述半导体裸片的侧方穿透所述绝缘层并暴露所述载体基板的所述导电层；执行电镀工艺以形成填充所述通孔的通路，在所述电镀工艺中所述载体基板的所述导电层用作晶种；在和所述绝缘层的第一表面上形成第一再分布层；去除所述载体基板；以及在所述半导体裸片的第二表面和所述绝缘层上形成第二再分布层，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

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