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构图低介电常数介电层的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02126321.3
IPC分类号：H01L21/027;G03F7/00
申请日期：
2002-07-19
申请人：
联华电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	构图低介电常数介电层的方法
申请号	CN02126321.3	申请日期	2002-07-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-22	公开/公告号	CN1450597
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	张鼎张;刘柏村;许钲宗
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

一种构图低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来构图低介电常数介电层，而不需要使用任何的光刻胶层，借以使低介电常数介电层曝光的部分固化，而变的不溶于显影溶液中，低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中，并将会在显影步骤中被移除，组件的效能与可靠度均可因此得到改善，且可以简化工艺步骤。

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