一种多接口SRAM读写控制电路及方法

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专利名称	一种多接口SRAM读写控制电路及方法
申请号	CN201210581767.9	申请日期	2012-12-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-17	公开/公告号	CN103049408A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F13/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F13/00 信息或其他信号在存储器、输入/输出设备或者中央处理机之间的互连或传送（专用于输入/输出设备的接口电路入G06F 3/00；多处理机系统入G06F 15/16）〔4〕 G06F13/14 对互连或传送请求的处理〔4〕 G06F13/16 关于访问存储器总线的（G06F 13/28优先）〔4〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;3;/;1;6;;;G;0;6;F;3;/;0;6查看分类表>
申请人	苏州国芯科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区竹园路209号苏州创业园C2031室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州国芯科技股份有限公司	当前权利人	苏州国芯科技股份有限公司
发明人	郑茳;肖佐楠;匡启和;林雄鑫;张文婷
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	马明渡

摘要

一种多接口SRAM读写控制电路及方法，所述控制电路包括接口信号转换模块和带优先级的多路选择及反馈模块，通过简单的硬件电路，判断系统中访问SRAM的各模块接口的优先级，以协调各模块接口交替连续访问SRAM。本发明既节省了软件开销，又大大提高了SRAM的访问效率，可以广泛应用于嵌入式SOC芯片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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