一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211194544.7
IPC分类号：B24B37/08;B24B37/005;B24B37/28;B24B7/22;B08B3/12
申请日期：
2022-09-29
申请人：
中国电子科技集团公司第四十六研究所

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专利名称	一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法
申请号	CN202211194544.7	申请日期	2022-09-29
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-08	公开/公告号	CN115302400A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/08 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕 B24B37/07 以工件或研具的运动为特征〔2012.01〕 B24B37/08 用于双侧研磨〔2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;0;8;;;B;2;4;B;3;7;/;0;0;5;;;B;2;4;B;3;7;/;2;8;;;B;2;4;B;7;/;2;2;;;B;0;8;B;3;/;1;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	申请人地址	天津市河西区洞庭路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人	高飞;张弛;王英民;李晖;王健;霍晓青;李宝珠;程红娟
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	杨舒文

摘要

本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。

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