一种太赫兹辐射源及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811621931.8
IPC分类号：H01S1/02
申请日期：
2018-12-28
申请人：
北京航空航天大学

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著录项信息

专利名称	一种太赫兹辐射源及其制造方法
申请号	CN201811621931.8	申请日期	2018-12-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-03	公开/公告号	CN109713553A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S1/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S1/00 微波激射器，即利用受激发射对波长比红外射线长的电磁波进行产生、放大、调制、解调或变频的器件 H01S1/02 固体的	IPC分类号	H;0;1;S;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	阮存军;戴军;张幸运
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	王莹;李相雨

摘要

本发明实施例公开一种太赫兹辐射源及其制造方法。其中，所述太赫兹辐射源包括天线、真空通道层和光阴极，所述天线包括衬底、馈电带和天线臂，所述馈电带和所述天线臂相连，所述馈电带和所述天线臂设置在所述衬底上，在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述真空通道层，所述馈电带和所述光阴极设置在所述真空通道的两端，所述光阴极、所述真空通道层和所述馈电带之间形成密封腔，在所述光阴极与所述真空通道相对的一侧设置光阴极基底。本发明实施例提供的太赫兹辐射源及其制造方法，提高了太赫兹辐射源的功率。

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