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一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110686810.7
  • IPC分类号:H01L21/677;H01L31/18
  • 申请日期:
    2021-06-21
  • 申请人:
    江苏润阳世纪光伏科技有限公司
著录项信息
专利名称一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法
申请号CN202110686810.7申请日期2021-06-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-24公开/公告号CN113437006A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/677IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;7;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人江苏润阳世纪光伏科技有限公司申请人地址
江苏省盐城市经济技术开发区漓江路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏润阳世纪光伏科技有限公司当前权利人江苏润阳世纪光伏科技有限公司
发明人周其斌;殷强强;唐福云
代理机构南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张丽丽
摘要
本发明公开一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法,其装置包括运输网带,所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆,所述支撑斜杆上套设有软壳保护套,其方法包括:将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上,两侧支撑斜杆与运输网带之间形成一定的角度,使硅片相对运输网带处于静止状态并能防止硅片左右偏移,软壳保护套可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。本发明与现有技术相比的优点在于:可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移,同时可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。

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