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搀杂的细长半导体,这类半导体的生长,包含这类半导体的器件以及这类器件的制造

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610139984.7
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L23/532;H01L21/00
  • 申请日期:
    2001-08-22
  • 申请人:
    哈佛学院董事会
著录项信息
专利名称搀杂的细长半导体,这类半导体的生长,包含这类半导体的器件以及这类器件的制造
申请号CN200610139984.7申请日期2001-08-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-07-11公开/公告号CN1996613
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人哈佛学院董事会申请人地址
美国马萨诸塞州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈佛学院董事会当前权利人哈佛学院董事会
发明人查尔斯·M·利伯;崔屹;段镶锋;黄昱
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人顾晋伟;刘继富
摘要
本发明提供体搀杂半导体,其至少是下列其中之一:单晶体;拉长且体搀杂的半导体,所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸;至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的独立式且体搀杂的半导体,其中由体搀杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体搀杂半导体相关的生长半导体的方法,制造器件的方法,半导体器件,制造纳米线半导体器件的方法,用于用纳米线制造发光二极管的方法,制造具有体搀杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法,在表面上装配多个拉长结构的方法,在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。

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