有增强的抗破裂强度的半导体衬底及其形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00133157.4
IPC分类号：--
申请日期：
2000-10-10
申请人：
惠普公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	有增强的抗破裂强度的半导体衬底及其形成方法
申请号	CN00133157.4	申请日期	2000-10-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-09-26	公开/公告号	CN1314244
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	惠普公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠普发展公司,有限责任合伙企业	当前权利人	惠普发展公司,有限责任合伙企业
发明人	D·O·拉莫斯;M·布雷斯齐尔尼
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴增勇;陈景峻

摘要

一种处理半导体衬底(50)以便提高其抗破裂强度的方法和一种用这种方法形成的半导体衬底(50)。在最佳实施例中，半导体衬底(50)用在打印头(40)中。半导体衬底(50)具有在其中加工成的特定结构，例如墨水注入通道，并且在机械加工后处理该衬底，以便去除机械加工成的特定结构附近的材料，减少特定结构加工过程中可能产生的微裂纹(74)或其它缺陷。可以用几种方法来去除裂纹所含的材料。优选的方法是用含四甲基氢氧化铵的溶液来蚀刻。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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