基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN202110137113.6
IPC分类号：G21B1/23
申请日期：
2021-02-01
申请人：
大连理工大学

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专利名称	基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列
申请号	CN202110137113.6	申请日期	2021-02-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-18	公开/公告号	CN112992387A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21B1/23 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21B 聚变反应堆（不可控聚变，其应用入G21J） G21B1/02 （转入G21B 1/00，G21B 3/00） G21B1/11 零件〔8〕 G21B1/23 光学系统，例如，照射目标、加热等离子体或等离子体诊断学〔8〕	IPC分类号	G;2;1;B;1;/;2;3查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	王正汹;施培万;朱霄龙
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	隋秀文;温福雪

摘要

本发明属于磁约束受控核聚变等离子体诊断领域，涉及一种基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列，是测量磁约束等离子体电子密度的重要技术方法。本发明主要包括晶体振荡器，六公分器，点频源，太赫兹倍频器，由二公分器、可编程微波开关、混频器、放大器、检波器和中央处理器组成的集成单元，微波波导，太赫兹相控阵天线和中央处理器。本发明的阵列可以通过在磁约束聚变装置中布置多个可灵活调节发射角度的太赫兹相控阵天线和可编程微波开关实现多个空间位置的分时测量，然后利用快速数值反演算法获取二维测量电子密度剖面，采用的时延方法特别合适用于未来大型磁约束聚变装置。

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