一种冲击片换能元结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611154381.4
IPC分类号：F42C19/12;B32B27/28;B32B27/06
申请日期：
2016-12-14
申请人：
中国工程物理研究院化工材料研究所

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专利名称	一种冲击片换能元结构及其制备方法
申请号	CN201611154381.4	申请日期	2016-12-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-08	公开/公告号	CN106482591A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F42C19/12 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F4 武器；爆破 F42 弹药；爆破 F42C 弹药引信（爆破筒引爆器入F42B 3/10；化学方面入C06C）；所用的解除保险或保险装置（装填引信入F42B 33/02；将底火装入引信或从引信中取出入F42B 33/04；用于引信的容器入F42B 39/30）〔5〕 F42C19/00 引信的零部件（解除保险的方法，防止过早引爆的安全方法入F42C 15/00） F42C19/08 底火（用于爆破筒的起爆器入F42B 3/10）；雷管 F42C19/12 电的	IPC分类号	F;4;2;C;1;9;/;1;2;;;B;3;2;B;2;7;/;2;8;;;B;3;2;B;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院化工材料研究所	申请人地址	四川省绵阳市绵山路64号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院化工材料研究所	当前权利人	中国工程物理研究院化工材料研究所
发明人	吕军军;王万军;郭菲;付秋波;祝明水
代理机构	四川省成都市天策商标专利事务所	代理人	秦华云

摘要

本发明公开了一种冲击片换能元结构及其制备方法，包括剪切层、飞层、爆炸箔和基片，剪切层、飞层、爆炸箔和基片从上至下依次通过层压键合而成，基片上贯穿设有若干个导电通孔，导电通孔上端孔面与爆炸箔下表面相接触，导电通孔下端孔面与基片下表面平齐，剪切层中心贯穿开有剪切通孔，剪切通孔上孔面与剪切层上表面平齐，剪切通孔下孔面与飞层上表面接触；飞层由聚酰亚胺材料制造而成。本发明通过剪切层、飞层、爆炸箔和基片从上至下依次通过层压键合而成，这样实现了基片、爆炸箔和飞层分子层面的接触，防止等离子体的横向扩散，从而提高能量的转化效率。

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