存储元件以及半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200780008401.X
IPC分类号：H01L27/28;H01L29/786;H01L27/10;H01L51/05
申请日期：
2007-02-28
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储元件以及半导体器件
申请号	CN200780008401.X	申请日期	2007-02-28
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-04-01	公开/公告号	CN101401209
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/28 包括使用有机材料作为有源部分，或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;;;H;0;1;L;5;1;/;0;5查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	汤川干央;杉泽希
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李玲

摘要

本发明的一个目的在于减少各存储元件性态的变化。此外，本发明的另一个目的是获得其上装有存储元件的、性能和可靠性方面优越的半导体器件。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间，且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构，各存储元件性态中的变化减少。

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