钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201110052803.8
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0352
申请日期：
2011-03-05
申请人：
常州天合光能有限公司

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专利名称	钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构
申请号	CN201110052803.8	申请日期	2011-03-05
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-31	公开/公告号	CN102169923A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2查看分类表>
申请人	常州天合光能有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天合光能股份有限公司	当前权利人	天合光能股份有限公司
发明人	陈艳
代理机构	常州市维益专利事务所	代理人	王凌霄

摘要

本发明涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。基体正面为N型前表面场，N型前表面场的正面为金字塔绒面结构，表面具有钝化N型前表面场的SiNx层，电池片正背面都有金属栅线。用浮动结钝化硼掺杂层，相对于用Al2O3钝化，无需产线改造，适合大规模工业化生产，经测试，效率达19％。

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