首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

在半导体存储器件中产生提升电压的电路和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610051303.1
IPC分类号：G11C11/401;G11C11/4074;G11C7/00;H02M3/04
申请日期：
2006-01-05
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在半导体存储器件中产生提升电压的电路和方法
申请号	CN200610051303.1	申请日期	2006-01-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-09-27	公开/公告号	CN1838314
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/401 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;4;;;G;1;1;C;7;/;0;0;;;H;0;2;M;3;/;0;4查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	张寿凤;金致旭
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	吕晓章;李晓舒

摘要

在半导体存储器件的提升电压产生电路中，有源突跳器驱动信号产生电路响应行激活命令产生具有第一脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号并响应刷新命令产生具有第二脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号。有源突跳器电路响应有源突跳器驱动信号来产生提升电压。第二脉冲持续时间可以大于第一脉冲持续时间，从而可以改善刷新操作中提升电压的泵激效率。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供