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一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910401663.7
  • IPC分类号:H03K3/02;H03K17/12
  • 申请日期:
    2019-05-14
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路
申请号CN201910401663.7申请日期2019-05-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-08-16公开/公告号CN110138360A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K3/02IPC分类号H;0;3;K;3;/;0;2;;;H;0;3;K;1;7;/;1;2查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人梁琳;皮意成;颜小雪
代理机构华中科技大学专利中心代理人廖盈春;曹葆青
摘要
本发明公开一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路,可以用于高功率微波、核物理技术、污染净化等领域。传统RSD脉冲功率发生电路需要使用磁开关来配合RSD的开通,但是磁开关的体积很大,这容易导致传统RSD脉冲功率发生电路的体积过大。同时,在触发RSD时,传统RSD脉冲功率发生电路需要消耗的能量也不可以被忽略。在不使用磁开关的情况下,本发明使用另一种半导体开关器件RBDT来辅助RSD,以防止触发RSD时流过的电流数值过大损坏RSD。由于RBDT体积非常小,本发明的体积可以显著的减小。为了减小脉冲功率发生电路的能量损耗,在触发RSD时,本发明利用电感储存触发RSD时电容释放的能量,最后,电感释放储存的能量用于形成负载电流脉冲。

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