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一种二维薄片自组装多级结构氧化钨及其制备方法和应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610382040.6
  • IPC分类号:C01G41/02;B01J23/30;C01B3/04
  • 申请日期:
    2016-06-01
  • 申请人:
    武汉工程大学
著录项信息
专利名称一种二维薄片自组装多级结构氧化钨及其制备方法和应用
申请号CN201610382040.6申请日期2016-06-01
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2016-08-10公开/公告号CN105836807A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G41/02IPC分类号C;0;1;G;4;1;/;0;2;;;B;0;1;J;2;3;/;3;0;;;C;0;1;B;3;/;0;4查看分类表>
申请人武汉工程大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉工程大学当前权利人武汉工程大学
发明人柯军;陈嵘;杨浩
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人崔友明
摘要
本发明公开了一种多级结构氧化钨及其制备方法和应用,该氧化钨具有由(002)晶面暴露的二维薄片自组装形成的多级结构,其制备具体步骤为:以氟化铵水溶液为反应体系,以钨酸钠为钨源,水热条件下反应后,所得产物经过离心、洗涤、干燥、煅烧后即可得到二维薄片自组装多结构氧化钨。本发明方法可通过改变氟化铵水溶液的浓度调控氧化钨的形貌及尺寸,代替了传统的表面活性剂和模板剂,合成过程绿色环保;所合成的多级结构氧化钨尺寸均一,可用作分解水产氧光催化剂。

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