半导体激光元件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610095832.1
IPC分类号：H01S5/22;H01S5/323;H01S5/343;H01S5/00
申请日期：
2001-04-25
申请人：
日亚化学工业株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体激光元件的制造方法
申请号	CN200610095832.1	申请日期	2001-04-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-12-13	公开/公告号	CN1877934
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/20 用于控制光波导的半导体的结构或形状〔7〕 H01S5/22 具有脊状或条状结构的〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;2;2;;;H;0;1;S;5;/;3;2;3;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	日亚化学工业株式会社	申请人地址	日本德岛县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日亚化学工业株式会社	当前权利人	日亚化学工业株式会社
发明人	松村拓明
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在n型GaN基板上依次叠层至少由氮化物半导体构成的第一导电型层、活性层和第二导电型层的工序；在由所述工序叠层的晶片上，将规定波导路区域的长度的分隔槽形成为槽的底面比活性层更深的工序；在所述第二导电型层上设置条形凸部，形成由有效折射率关住光的第二波导路的工序；在所述条形凸部下设置包含活性层的条形凸部，形成由完全折射率关住光的第一波导路的工序；将所述晶片以分裂面成为谐振器面的方式在所述分隔槽分裂的分裂工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供