一种横向变掺杂区的制作方法以及晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN201410016399.2
IPC分类号：--
申请日期：
2014-01-14
申请人：
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种横向变掺杂区的制作方法以及晶体管
申请号	CN201410016399.2	申请日期	2014-01-14
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-15	公开/公告号	CN104779138A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司	申请人地址	北京市海淀区成府路298号方正大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司	当前权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人	马万里;闻正锋
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	李迪

摘要

本发明提供了一种横向变掺杂区的制作方法，包括：S1、在栅极边缘到漏极的区域上光刻形成从所述栅极边缘到所述漏极开口逐渐变大的光刻胶图形；S2、利用所述光刻胶图形做阻挡，进行离子注入；S3、去除光刻胶；S4、对步骤S2中注入的离子进行驱入，最终形成横向变掺杂区。上述制作方法，通过在栅极边缘到漏极的区域上光刻形成特殊的光刻胶图形，从而采用简单易行的加工工艺形成逐渐变化的掺杂区域，实现横向变掺杂的目的，制作工艺比传统制作工艺简单、易操作，由于该方法只需一次光刻，无需进行多次的光刻、刻蚀，可以将加工成本大幅降低。同时，本发明还提供了一种基于上述横向变掺杂区域的晶体管。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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