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低凹陷的铜化学机械抛光

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610049633.0
  • IPC分类号:C09G1/02;C23F3/04;C23F3/06
  • 申请日期:
    2016-01-25
  • 申请人:
    气体产品与化学公司
著录项信息
专利名称低凹陷的铜化学机械抛光
申请号CN201610049633.0申请日期2016-01-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-09公开/公告号CN106085245A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09G1/02IPC分类号C;0;9;G;1;/;0;2;;;C;2;3;F;3;/;0;4;;;C;2;3;F;3;/;0;6查看分类表>
申请人气体产品与化学公司申请人地址
美国亚利桑那州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人弗萨姆材料美国有限责任公司当前权利人弗萨姆材料美国有限责任公司
发明人史晓波;J·A·施吕特;J·罗斯;M·L·奥尼尔;M·格雷夫
代理机构北京市金杜律师事务所代理人吴亦华;吕小羽
摘要
本发明公开了铜化学机械抛光(CMP)制剂、方法和系统。CMP制剂包含颗粒材料、至少两种或更多种氨基酸、氧化剂、腐蚀抑制剂,并且其余为水。

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