用合成的MgO-SiC-C质材料制备耐火材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810048933.2
IPC分类号：C04B35/66
申请日期：
2008-08-21
申请人：
武汉科技大学

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专利名称	用合成的MgO-SiC-C质材料制备耐火材料的方法
申请号	CN200810048933.2	申请日期	2008-08-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-01-21	公开/公告号	CN101348377
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/66 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/66 含有或不含有黏土的整块耐火材料或耐火砂浆	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;6;6查看分类表>
申请人	武汉科技大学	申请人地址	湖北省武汉市青山区建设一路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉科技大学	当前权利人	武汉科技大学
发明人	祝洪喜;邓承继
代理机构	武汉开元知识产权代理有限公司	代理人	樊戎

摘要

本发明涉及一种用MgO-SiC-C质材料制备耐火材料的方法。所采用的技术方案是：将镁橄榄石和C粉按摩尔比为1～4∶3～6混合，外加上述混合料1～10wt％的结合剂，经搅拌、成型和干燥后，在还原气氛下经1450～1700℃×2～8h合成MgO-SiC-C质材料；再将该合成材料按0～27％wt的5～3mm颗粒、18～50wt％的3～1mm颗粒、15～38wt％的1～0mm颗粒和30～45wt％的0.1～0mm细粉混合，外加3～8％的结合剂，搅拌均匀；或制成MgO-SiC-C质耐火涂抹料、或喷补料、或不烧耐火砖、或烧成耐火砖。本发明生产成本低、工艺简单；所制备的耐火材料性能优良，应用范围广。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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