非易失性存储器系统及其擦除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210304224.2
IPC分类号：G11C16/14;G11C16/06
申请日期：
2012-08-23
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	非易失性存储器系统及其擦除方法
申请号	CN201210304224.2	申请日期	2012-08-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-02	公开/公告号	CN102855934A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/14 用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	杨光军;顾靖;胡剑
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种非易失性存储器系统及其擦除方法，其中所述擦除方法包括：提供目标位存储子阵列；依次读取并存储目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列中的第一数据；对目标位存储子阵列进行擦除操作；依次读取目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列中存储的第二数据，每次读取后，将第二数据和相应的第一数据进行比较，若第一数据与第二数据不相同，则给出对相应的位存储子阵列进行重新写入的命令；根据重新写入的命令和存储的第一数据，对相应的位存储子阵列进行重新写入。防止了对目标位存储子阵列进行擦除操作时，对目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列的干扰。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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