高动态范围背照式电荷域相关双采样全局图像传感器像素

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920764785.8
IPC分类号：H04N5/355;H04N5/378
申请日期：
2019-05-24
申请人：
上海砺芯微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	高动态范围背照式电荷域相关双采样全局图像传感器像素
申请号	CN201920764785.8	申请日期	2019-05-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04N5/355 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04N 图像通信，如电视 H04N5/00 电视系统的零部件（扫描部件或其与供电电压产生的组合入H04N 3/00）〔4，2011.01〕 H04N5/30 转变光或模拟信息为电信号（H04N 5/222优先；扫描零部件入H04N 3/00）〔2，4，7〕 H04N5/335 利用固态图像传感器〔SSIS〕（H04N 5/32，H04N 5/33优先）〔4，2011.01〕 H04N5/351 取决于场景的SSIS控制，例如场景中的亮度或者运动〔2011.01〕 H04N5/355 动态范围的控制〔2011.01〕	IPC分类号	H;0;4;N;5;/;3;5;5;;;H;0;4;N;5;/;3;7;8查看分类表>
申请人	上海砺芯微电子有限公司	申请人地址	中国（上海）自由贸易试验区纳贤路800号1幢B座901-1室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海砺芯微电子有限公司	当前权利人	上海砺芯微电子有限公司
发明人	葛光;吴宪岭
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	李丹

摘要

本实用新型公开了一种高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，包括：用于感测光信号生成电荷的光电二极管，用于暂时存储光电二极管中产生的电荷的第一电荷存储单元、第二电荷存储单元和第三电荷存储单元，用于同步电荷存储单元中存储的电荷的数量的改变量的辅助电荷存储单元。本实用新型通过增加设计辅助电荷存储单元，使得该辅助电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量同电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量相当，两个改变量相减的结果体现了从感光区域转移至电荷存储单元中的电荷的实际数量。通过该方式，可有效提高传感器的全局快门效率。

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