一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110951853.3
IPC分类号：H01L51/48;H01L51/44;H01L51/56;H01L51/52
申请日期：
2021-08-18
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法
申请号	CN202110951853.3	申请日期	2021-08-18
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-23	公开/公告号	CN113690374A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕 H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	陈小青;程健功;张逍博;严辉;张永哲
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张立改

摘要

一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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