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一种非易失性光开关及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011414339.8
IPC分类号：G02F1/00;G02F1/01
申请日期：
2020-12-04
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种非易失性光开关及其制作方法
申请号	CN202011414339.8	申请日期	2020-12-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-26	公开/公告号	CN112415784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	李文霏;曹溪源;武爱民
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种非易失性光开关及其制作方法，所述非易失性光开关包括：绝缘埋层；单模波导，位于所述绝缘埋层之上；相变材料微盘，位于所述单模波导之上；以及上包层，覆盖所述相变材料微盘和所述单模波导。相对于现有的硅基光开关，本发明的非易失性光开关具有更小的器件尺寸、消光比大且插入损耗低。

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